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[发明专利]双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管-CN201911426017.2有效
发明人：苏亮 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开一种双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管。所述双异质结纳米棒的制备方法包括：将第一反应剂与第二反应剂混合进行反应，制备纳米颗粒溶液；在所述纳米颗粒溶液中加入第三反应剂，制备单异质结纳米棒溶液；在所述单异质结纳米棒溶液中加入第四反应剂与第五反应剂，制备双异质结纳米棒。本发明提供一种双异质结纳米棒及其制备方法及发光二极管，旨在解决现有技术中基于量子点的电致发光二极管的寿命较短的问题。
双异质结纳米及其制备方法发光二极管

[发明专利]两步液相离子交换合成氧化锌/硫化镉异质结纳米棒阵列的方法-CN201310596030.9无效
发明人：杜希文;王琰 -专利权人：天津大学
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种两步液相离子交换合成氧化锌/硫化镉异质结纳米棒阵列结构的方法：（1）以ZnO纳米棒阵列为原料，加入到30mL0.5M硫代乙酰胺（TAA）水溶液中，于反应釜中，90℃下保持2h，经清洗，得到ZnO/ZnS异质结纳米棒阵列；（2）将该ZnO/ZnS异质结纳米棒阵列加入到30mL0.1M氯化镉（CdCl2）水溶液中，于反应釜中，120℃下保持9h，再清洗，制得ZnO/CdS异质结纳米棒阵列。本发明的ZnO/CdS异质结纳米棒阵列尺寸均匀，操作方法简单，条件温和，是一种新型的操作简便可以大量合成ZnO/CdS异质结纳米棒阵列材料的方法。
两步液相离子交换合成氧化锌硫化镉异质结纳米阵列方法

[发明专利]一种钛同源半导体异质结光阳极及其制备方法-CN202211072728.6在审
发明人：汪毅;马明;李蒋;崔传艺;宁德;李伟民 -专利权人：深圳先进技术研究院
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛同源半导体异质结光阳极及其制备方法，所述钛同源半导体异质结光阳极包括导电基底以及生长在导电基底上的二氧化钛纳米棒阵列，所述二氧化钛纳米棒阵列上修饰有非金属掺杂相的二氧化钛纳米片，形成钛同源异质结，所述制备方法包括：在导电基底上生长二氧化钛纳米棒阵列；将二氧化钛纳米棒阵列高温退火处理；用非金属掺杂相的二氧化钛纳米片悬浊液对得到的二氧化钛纳米棒阵列进行表面修饰，使二氧化钛纳米棒阵列形成钛同源异质结，得到基于二氧化钛的纳米异质结；将基于二氧化钛的纳米异质结高温退火，获得钛同源半导体异质结光阳极。本发明提供的制备方法，通过构建异质结，解决了二氧化钛光阳极水分解能力低的问题。
一种同源半导体异质结光阳极及其制备方法

[发明专利]一维轴向型的纳米氧化锌/硫化锌异质结及其制备方法-CN201110096856.X有效
发明人：朱燕琴;费广涛 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及纳米材料制备领域，具体涉及一种一维轴向型的纳米氧化锌/硫化锌异质结及其制备方法。所制备异质结包括氧化锌纳米棒和硫化锌纳米棒，是一维轴向型的，纳米氧化锌棒的端部连接有纳米硫化锌棒形成异质结。制备时将硅片和氧化锌粉和石墨粉混合粉置于950-1050℃的空气气氛下，保温反应，在硅片上得到由大量氧化锌纳米棒组成的氧化锌纳米花状结构，再在含有氧化锌纳米棒的硅片上溅镀上一定厚度的金膜，最后将其和硫化锌粉末一起置于高纯氩气气氛中保温反应得到最终产品-氧化锌纳米棒上端连接着硫化锌纳米棒的异质结。本异质结是一维轴向型的，其制备工艺简单，成本低廉。本异质结在纳米器件的开发与应用有着重要的意义。
轴向纳米氧化锌硫化锌异质结及其制备方法

[发明专利]顶端修饰Cu2-CN201711086452.6有效
发明人：贺涛;穆扎法尔·伊克巴尔;王艳杰;胡海峰 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： B01J23/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种顶端修饰Cu2O的ZnO纳米棒异质结及其制备方法与应用。本发明采用两步法制备，首先采用恒电位沉积法在导电基底上制备ZnO纳米棒，然后采用光沉积法在已制备的ZnO纳米棒顶端沉积Cu2O颗粒，从而得到顶端修饰Cu2O的ZnO纳米棒异质结。本发明工艺简单快捷，所得异质结可以有效分离光生载流子，并对可见光区产生响应，在纳米异质结光催化和光伏等领域有良好应用前景。
顶端修饰 cu base sub

[发明专利]一种ZnO纳米棒/p‑GaN薄膜异质结及其制备方法和应用-CN201611104904.4在审
发明人：田玉;奇志强;朱小龙;郑广 -专利权人：江汉大学
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用GaN量子点作为ZnO的形核层来制备ZnO纳米棒/p‑GaN薄膜异质结的方法。首先采用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石沉底上生长p‑GaN薄膜，再在薄膜上生长GaN量子点样品，然后采用水热法在量子点表面进行ZnO纳米棒阵列的生长，形成ZnO纳米棒/p‑GaN薄膜异质结结构。本发明p‑GaN薄膜和GaN量子点之间形成同质PN结，GaN量子点和ZnO纳米棒之间形成异质结PN，同质结和异质结联合发光，实现了零维结构和一维结构的结合，显著改善了紫外LED异质结界面晶体质量，提高了载流子的注入效率，从而获得了ZnO纳米棒/GaN量子点有源区。本发明采用GaN量子点作为ZnO纳米棒的形核层，可以通过调控GaN量子点的生长情况控制ZnO纳米棒的生长。
一种 zno 纳米 gan 薄膜异质结及其制备方法应用

[发明专利]复合纳米异质结薄膜材料及复合异质结太阳电池制备方法-CN201510747128.9在审
发明人：何祖明;江兴方;孔祥敏 -专利权人：常州大学怀德学院
申请日： 2015-11-06 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C25D9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合纳米异质结薄膜材料及复合异质结太阳电池制备方法，所述复合纳米异质结薄膜材料制备方法中的复合纳米异质结薄膜材料包括基底、液相生长在基底上的n型ZnO 纳米棒阵列薄膜和采用连续离子沉积法在ZnO 纳米棒阵列间隙中填充ZnS薄膜，是采用ZnS薄膜填充到空隙，再用电化学沉积法把Cu₂O沉积在ZnO或ZnS纳米棒表面。本发明在ZnO纳米棒阵列空隙中填充ZnS，再用电化学沉积技术将Cu₂O沉积在ZnO或ZnS纳米棒表面形成ZnO/ZnS/Cu₂O复合异质结薄膜材料及其制备太阳电池的方法
复合纳米异质结薄膜材料太阳电池制备方法

[发明专利]一种棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备方法-CN201911112204.3在审
发明人：李忠玉;张彤彤;孙卓;梁倩;周满;徐松 -专利权人：常州大学
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： B01J27/047 文献下载
摘要：本发明涉及一种棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备方法，包括步骤：硫化镉纳米棒的制备、钨酸铋的制备和棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备。本发明的有益效果是：该制备方法较为简单，制备条件容易控制，所制备的棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料具有无二次污染，光催化活性较好等优点，具有一定的应用价值。
一种硫化复合钨酸铋型异质结光催化材料制备方法

[发明专利]一种固相化学反应制备氧化锌-电气石异质结纳米棒的方法-CN201810637864.2在审
发明人：陈凤娟;金学坤;贾殿赠;刘岸杰 -专利权人：新疆大学
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种固相化学反应制备氧化锌‑电气石异质结纳米棒的方法，属于纳米材料制备领域。该方法是将醋酸锌、十二烷基硫酸钠、氢氧化钠和电气石在室温条件下依次混合研磨反应，实现了氧化锌‑电气石异质结纳米棒的低热固相合成。本发明制备氧化锌‑电气石异质结纳米棒的低热固相化学法具有操作简单、不使用溶剂、高产率、成本低、合成工艺简单等特点；且本发明制备的氧化锌‑电气石异质结纳米棒具有大的比表面积和高的反应活性，将在光电器件、光催化等领域具有潜在的应用前景
电气石纳米棒氧化锌异质结制备固相化学反应低热十二烷基硫酸钠纳米材料制备固相化学法反应活性固相合成光电器件合成工艺混合研磨氢氧化钠室温条件醋酸锌高产率光催化潜在的溶剂应用

[发明专利]一种金属离子掺杂提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能的方法-CN202310029982.6在审
发明人：冯苗;张士林 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-01-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属离子掺杂提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能的方法。该方法首先在预处理后的FTO导电玻璃上通过水热法生长氧化钛纳米棒阵列，然后通过溶剂热法在氧化钛表面外延生长金属离子掺杂的硫铟铜纳米颗粒，形成金属离子掺杂硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料。通过调控掺杂金属离子的种类与浓度，提升硫铟铜/氧化钛异质结纳米棒阵列复合材料光电化学性能。本发明方法简单易行，环境友好，金属离子的掺杂进一步增强了硫铟铜/氧化钛异质结复合材料的光吸收效率，增加活性位点，结合异质结构促进电荷分离的协同效应，进而在硫铟铜/氧化钛异质结的基础上，进一步提升了复合材料的光电化学性能
一种金属离子掺杂提升硫铟铜氧化钛异质结纳米阵列复合材料光电化学性能方法

[发明专利]制备ZnO/Cu₂O异质结材料及ZnO/Cu₂O三维结构异质结太阳电池的方法-CN201110183993.7无效
发明人：武卫兵;李梅;胡广达 -专利权人：济南大学
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C25D7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备ZnO/Cu2O异质结材料及ZnO/Cu2O三维结构异质结太阳电池的方法，异质结材料的制备方法包括液相生长法在基底上生长n型ZnO纳米棒阵列薄膜、以碱性铜盐溶液为电解液，在-0.4~-0.6V的沉积电位下沉积60-150s，将p型Cu2O电化学沉积在ZnO纳米棒表面，形成Cu2O种子层；以碱性铜盐溶液为沉积溶液，在-0.05～-0.3V的沉积电位下再次采用电化学沉积法将Cu2O自下而上充分填充到纳米棒阵列的空隙中形成ZnO/Cu2O三维结构异质结材料。本发明Cu2O半导体薄膜的填充深度和致密度增加，界面缺陷减少，所制异质结电池电池效率高。
制备 zno cu sub 异质结材料三维结构太阳电池方法

[发明专利]异质结压电式纳米发电机及其制造方法-CN201110253998.2有效
发明人：邵铮铮;张学骜;王飞;王广;贾红辉;常胜利;秦石乔 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L41/113 文献下载
摘要：异质结压电式纳米发电机及其制造方法，该异质结压电式纳米发电机包括半导体纳米棒阵列、半导体纳米凹槽阵列、导电衬底、封装层和引线，所述半导体纳米棒阵列垂直设于作为发电机下电极的导电衬底上，半导体纳米凹槽阵列与半导体纳米棒阵列形成嵌套结构，半导体纳米凹槽阵列为发电机的上电极，发电机上下电极分别由不同的引线接出；半导体纳米凹槽阵列和半导体纳米棒阵列外周设有封装层。本发明还包括所述异质结压电式纳米发电机制造方法。本发明异质结压电式纳米发电机结构简单、紧凑，使用寿命较长，制造工艺简单，制造成本低。
异质结压电纳米发电机及其制造方法

[发明专利]一种异质结复合薄膜及其制备方法和应用、甲烷气体传感器-CN202211428446.5在审
发明人：高云;黎勋;谭添;范玉浩;余新刚;鲍钰文;夏晓红 -专利权人：湖北大学
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及气体检测技术领域，尤其涉及一种异质结复合薄膜及其制备方法和应用、甲烷气体传感器。本发明提供了一种异质结复合薄膜，包括氧化锌纳米棒阵列和生长在所述氧化锌纳米棒阵列结构表面和侧面的SnO2；所述SnO2所述异质结复合薄膜在室温下对甲烷具有高响应度。
一种异质结复合薄膜及其制备方法应用甲烷气体传感器

[发明专利]锑碲异质结材料及其制备方法和应用-CN202310150740.2在审
发明人：刘鹏;程终发;华艳飞;姚娅 -专利权人：山东泰和科技股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种锑碲异质结材料及其制备方法和应用，属于电化学储能材料技术领域。本发明提供的锑碲异质结材料其微观结构表现为若干Sb2Te3纳米片集成在碲纳米棒上，与现有技术中的锑碲异质结材料的微观结构不同其制备方法步骤如下：步骤一、溶剂热制备碲（Te）纳米棒；步骤二、取Te纳米棒作为载体，再次溶剂热在其上生长沉积锑（Sb），获得锑碲（Sb2Te3‑Te）异质结材料。base:Sub>2Te3在Te纳米棒上的可控集成，进而可以有效的调控锑碲异质结材料的结构与性能。
锑碲异质结材料及其制备方法应用

[发明专利]一种多片段上转换发光颜色可调异质结稀土微米棒、其制备方法及应用-CN202011480446.0有效
发明人：游文武;李艺颖;毛艳丽;李静如;李艳周 -专利权人：河南大学
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：本发明公开一种多片段上转换发光颜色可调异质结稀土微米棒、其制备方法及应用，属于稀土发光材料与应用技术领域，所选异质结稀土微米棒的基质材料NaLnF4，Ln为三价稀土离子所述发明得到的异质结稀土微米棒，其某些片段的上转换发光颜色表现出随激发光脉宽变化而变化，而另外一部分片段的上转换发光颜色基本不变。因此，利用该异质结微米棒独特的上转换发光特点，可以提高上转换发光材料的防伪能力，实现更高等级的防伪应用。
一种片段转换发光颜色可调异质结稀土微米制备方法应用

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